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中國(guó)企業(yè)培訓(xùn)講師
《防靜電放電（ESD）損傷技術(shù)》研修班
發(fā)布時(shí)間:2014-04-24 02:30:02
 
講師：來(lái)萍 瀏覽次數(shù)：2939

課程描述INTRODUCTION

防靜電放電（ESD）損傷技術(shù)培訓(xùn)

· 研發(fā)經(jīng)理· 電子工程師· 系統(tǒng)工程師

培訓(xùn)講師：來(lái)萍    課程價(jià)格：￥元/人    培訓(xùn)天數(shù)：2天   

日程安排SCHEDULE

課程大綱Syllabus

防靜電放電（ESD）損傷技術(shù)培訓(xùn)
 
課程大綱
一、電子元器件抗ESD損傷的基礎(chǔ)知識(shí)
本章介紹有關(guān)靜電和靜電放電的基本原理，以及對(duì)元器件損傷的主要機(jī)理和模式。主要內(nèi)容有：
1.1　靜電和靜電放電的定義和特點(diǎn);
1.2　對(duì)靜電放電認(rèn)識(shí)的發(fā)展歷史 ;
1.3　靜電的產(chǎn)生:1.3.1　摩擦產(chǎn)生靜電1.3.2　感應(yīng)產(chǎn)生靜電1.3.3　靜電荷1.3.4　靜電勢(shì)1.3.5　影響靜電產(chǎn)生和大小的因素 ;
1.4　靜電的來(lái)源:1.4.1 人體靜電　1.4.2　儀器和設(shè)備的靜電 1.4.3　器件本身的靜電　1.4.4　其它靜電來(lái)源;
1.5　靜電放電的三種模式:1.5.1 帶電人體的放電模式 1.5.2 帶電機(jī)器的放電模式 1.5.3 充電器件的放電模式;
1.6　靜電放電失效:1.6.1　失效模式　　1.6.2　失效機(jī)理;
 
二、制造過(guò)程的防靜電損傷技術(shù)
本章介紹在電子元器件制造和裝配過(guò)程中，對(duì)環(huán)境的靜電防護(hù)要求，以保證電子元器件在制造和裝配過(guò)程中的靜電安全。主要內(nèi)容有：
2.1　作用和意義:　 2.1.1 多數(shù)電子元器件是靜電敏感器件　2.1.2　靜電對(duì)電子行業(yè)造成的損失很大　　2.1.3　國(guó)內(nèi)外企業(yè)的狀況 ;
2.2　靜電對(duì)電子產(chǎn)品的損害:　2.2.1　靜電損害的形式 2.2.2 靜電損害的特點(diǎn) 2.2.3 可能產(chǎn)生靜電損害的制造過(guò)程;
2.3　靜電防保的目的和總的原則:　 2.3.1　目的和原則　　2.3.2　基本思路和技術(shù)途徑;
2.4　靜電防護(hù)材料:　 2.4.1與靜電防護(hù)材料有關(guān)的基本概念　2.4.2靜電防保材料的主要參數(shù) ;
2.5　靜電防保器材 :　 2.5.1 防靜電材料的制品　 2.5.2 靜合消除器（消電器、電中和器或離子平衡器）;
2.6　靜電防保的具體措施:　 2.6.1建立靜電安全工作區(qū) 2.6.2 包裝、運(yùn)送和存儲(chǔ)工程的防靜電措施;2.6.3 靜電檢測(cè) 2.6.4　 靜電防護(hù)的管理工作　 ;
 
三、電子元器件抗ESD能力的檢測(cè)及分析技術(shù)
本章介紹對(duì)電子元器件的抗ESD水平進(jìn)行檢測(cè)的技術(shù)。包括國(guó)內(nèi)外抗ESD檢測(cè)的主要標(biāo)準(zhǔn)，檢測(cè)的模型和方法以及實(shí)際的一些檢測(cè)結(jié)果和遇到的問(wèn)題。主要內(nèi)容有：
3.1　抗靜電檢測(cè)的作用和意義 ;
3.2　靜電放電的標(biāo)準(zhǔn)波形;
3.3　抗ESD檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn):　3.3.1　電子元器件ESDS檢測(cè)及分類(lèi)的常用標(biāo)準(zhǔn) 3.3.2　標(biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)方法的主要內(nèi)容;
3.4　實(shí)際ESD檢測(cè)的結(jié)果統(tǒng)計(jì)及分析:　3.4.1　試驗(yàn)條件 3.4.2　 ESD評(píng)價(jià)試驗(yàn)結(jié)果分析 ;
3.5　ESD檢測(cè)中經(jīng)常遇到的一些問(wèn)題 ;
3.6　ESD損傷的失效定位分析技術(shù):　3.6.1　端口I－V特性檢測(cè)　3.6.2 光學(xué)顯微觀察 3.6.3 掃描電鏡分析 3.6.4 液晶分析　3.6.5光輻射顯微分析技術(shù)　3.6.6 分層剝離技術(shù) 3.6.7　小結(jié) ;
3.7　ESD和EOS的判別方法討論: 3.7.1 概念　　 3.7.2　ESD和EOS對(duì)器件損傷的分析判別方法
 
四、電子元器件抗ESD設(shè)計(jì)技術(shù)
本章介紹電子元器件抗ESD損傷的設(shè)計(jì)技術(shù)，主要包括抗ESD設(shè)計(jì)的主要原則、基本保護(hù)電路和*的大規(guī)模CMOS電路中保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。主要內(nèi)容有：
4.1　元器件抗ESD設(shè)計(jì)基礎(chǔ);
4.2　元器件基本抗ESD保護(hù)電路;
4.3　CMOS電路ESD失效模式和機(jī)理;
4.4　CMOS電路ESD可靠性設(shè)計(jì)策略;
4.5　CMOS電路基本ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì);
4.6　電子設(shè)備ESD損傷途徑及其保護(hù)電路設(shè)計(jì);
4.7　工藝控制和管理;
 
防靜電放電（ESD）損傷技術(shù)培訓(xùn)

轉(zhuǎn)載：http://www.moqiwei.com/gkk_detail/1255.html

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